SSM6N357R,LF(T

Name: TSSM6N357R TSSM6N357R
Brand: Toshiba
SKU: TSSM6N357R
Price: 0.3441 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSSM6N357R

Gehäuse: TSOP06

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 12V; 2,4 Ohm; 650mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,4Ohm
Max. Drainstrom:	650mA
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM6N357R,LF RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7913	0,5010	0,3957	0,3605	0,3441

Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM6N357R,LF(T Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3441

Widerstand im offenen Kanal:	2,4Ohm
Max. Drainstrom:	650mA
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD