SSM6N357R,LF(T

Symbol Micros: TSSM6N357R
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 12V; 2,4 Ohm; 650mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C; SSM6N357R,LXGF(T;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 650mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 650mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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