SSM6N951L,EFF

Symbol Micros: TSSM6N951L,EFF

Gehäuse: TCSPA6 (2.14x1.67)

SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,1mOhm
Max. Drainstrom:	8A
Maximaler Leistungsverlust:	700mW
Gehäuse:	TCSPA (2,14x1,67)
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V

Widerstand im offenen Kanal:	5,1mOhm
Max. Drainstrom:	8A
Maximaler Leistungsverlust:	700mW
Gehäuse:	TCSPA (2,14x1,67)
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD