SSP20N60S SUPER SEMICONDUCTOR

Symbol Micros: TSSP20n60s

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 190 mOhm; 20A; 205W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	205W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	205W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT