SSP65R190S2 SUPER SEMICONDUCTOR

Name: TSSP65r190s2 TSSP65r190s2
Brand: Super Semiconductor
SKU: TSSP65r190s2
Price: 1.0103 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSSP65r190s2

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 190 mOhm; 20A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Super Semiconductor Hersteller-Teilenummer: SSP65R190S2 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,7175	1,3697	1,1724	1,0526	1,0103

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT