SST60R280S2 SUPER SEMICONDUCTOR

Symbol Micros: TSST60r280s2

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 280 mOhm; 15A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT