SSW20N60S SUPER SEMICONDUCTOR

Symbol Micros: TSSW20n60s

Gehäuse: TO247

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 190 mOhm; 20A; 151W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	151W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Max. Gate-Source Spannung:	30V

Hersteller: Super Semiconductor Hersteller-Teilenummer: SSW20N60S RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,8376	1,4596	1,3048	1,2478	1,2251

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	151W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT