SSW47N60S SUPER SEMICONDUCTOR

Symbol Micros: TSSW47n60s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 70mOhm; 47A; 391W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 391W
Gehäuse: TO247
Hersteller: SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Super Semiconductor Hersteller-Teilenummer: SSW47N60S RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,8155 3,3903 3,1342 3,0050 2,9345
Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 391W
Gehäuse: TO247
Hersteller: SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT