SSW60R190S2 SUPER SEMICONDUCTOR

Name: TSSW60r190s2 TSSW60r190s2
Brand: Super Semiconductor
SKU: TSSW60r190s2
Price: 1.1155 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSSW60r190s2

Gehäuse: TO247

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 190 mOhm; 20A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Super Semiconductor Hersteller-Teilenummer: SSW60R190S2 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,8975	1,4067	1,2000	1,1296	1,1155

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT