STB11N65M5 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTB11N65M5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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Transistor N-Channel MOSFET; 710V; +/-25V; 480mOhm; 9A; 85W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 480mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 710V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 480mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 710V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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