STB16NF06L

Symbol Micros: TSTB16NF06L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 100 mOhm; 16A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STB16NF06LT4;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB16NF06LT4 RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7803 0,4937 0,3890 0,3549 0,3390
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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