STB16NF06L

Name: TSTB16NF06L TSTB16NF06L
Brand: ST
SKU: TSTB16NF06L
Price: 0.3515 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTB16NF06L

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 100 mOhm; 16A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STB16NF06LT4;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	16A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB16NF06LT4 RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

15 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8091	0,5119	0,4034	0,3680	0,3515

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB16NF06LT4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

24000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3515

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB16NF06LT4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3515

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	16A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD