STB16NF06L

Symbol Micros: TSTB16NF06L
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Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 100 mOhm; 16A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STB16NF06LT4;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB16NF06LT4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
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Nettopreis (EUR) 0,3439
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40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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