STB30NF10
Symbol Micros:
TSTB30NF10
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 35A 100V 115W 0.045Ω STB30NF10T4
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 115W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 115W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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