STB55NF06T4 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTB55NF06T4
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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