STB55NF06T4  STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTB55NF06T4
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB55NF06T4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
41000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4278
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB55NF06T4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
294000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3885
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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