STB6N80K5 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTB6N80K5
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Transistor N-Kanal MOSFET; 800V; 30V; 1,6Ohm; 4,5A; 85W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 85W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STB6N80K5
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
90000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8270 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STB6N80K5
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8324 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 85W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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