STB6NK90ZT4
Symbol Micros:
TSTB6NK90zt4
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 5,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STB6NK90ZT4 RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,9712 | 1,5647 | 1,4144 | 1,3368 | 1,3133 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STB6NK90ZT4
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
14000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,3133 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STB6NK90ZT4
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
38000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,3133 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 5,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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