HT75NF75 TO263 HTCSEMI

Symbol Micros: TSTB75NF75L HT

Gehäuse: TO263

Transistor N-Kanal MOSFET; 80V; 20V; 8mOhm; 80A; 173W; -55°C~175°C; Äquivalent: STB75NF75LT4; STB75NF75T4; HT75NF75ATZ; HT75NF75ASZ;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	173W
Gehäuse:	TO263
Hersteller:	HTCSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	173W
Gehäuse:	TO263
Hersteller:	HTCSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD