HT75NF75 TO263 HTCSEMI

Symbol Micros: TSTB75NF75L HT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263
Transistor N-Kanal MOSFET; 80V; 20V; 8mOhm; 80A; 173W; -55°C~175°C; Äquivalent: STB75NF75LT4; STB75NF75T4; HT75NF75ATZ; HT75NF75ASZ;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 173W
Gehäuse: TO263
Hersteller: HTCSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 173W
Gehäuse: TO263
Hersteller: HTCSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD