HT75NF75 TO263 HTCSEMI
Symbol Micros:
TSTB75NF75L HT
Gehäuse: TO263
Transistor N-Kanal MOSFET; 80V; 20V; 8mOhm; 80A; 173W; -55°C~175°C; Äquivalent: STB75NF75LT4; STB75NF75T4; HT75NF75ATZ; HT75NF75ASZ;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
Max. Drainstrom: | 80A |
Maximaler Leistungsverlust: | 173W |
Gehäuse: | TO263 |
Hersteller: | HTCSEMI |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
Max. Drainstrom: | 80A |
Maximaler Leistungsverlust: | 173W |
Gehäuse: | TO263 |
Hersteller: | HTCSEMI |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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