STB7NK80Z

Symbol Micros: TSTB7NK80Z
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Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,8 Ohm; 5,2A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STB7NK80ZT4;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Max. Drainstrom: 5,2A
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Max. Drainstrom: 5,2A
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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