STB9NK60Z

Symbol Micros: TSTB9NK60Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 950 mOhm; 7A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STB9NK60ZT4;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB9NK60ZT4 RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2452 0,8670 0,7330 0,6907 0,6555
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Standard-Verpackung:
5/50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB9NK60ZT4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
13000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6555
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STB9NK60ZT4 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6555
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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