STD10N60M2 DPAK

Symbol Micros: TSTD10n60m2
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Gehäuse: DPAK
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N-MOSFET 600V 7.5A 85W
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: D-PAK
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD10N60M2 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3947
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: D-PAK
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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