STD10N60M2 DPAK
Symbol Micros:
TSTD10n60m2
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET 600V 7.5A 85W
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 85W |
| Gehäuse: | D-PAK |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 85W |
| Gehäuse: | D-PAK |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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