STD10P6F6

Symbol Micros: TSTD10p6f6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 160 mOhm; 10A; 35W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD