STD12NF06L

Symbol Micros: TSTD12nf06l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 100 mOhm; 12A; 42,8 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD12NF06LT4;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 42,8W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: STD12NF06LT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,5252 0,3151 0,2404 0,2171 0,2096
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 42,8W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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