STD12NF06L-1 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTD12NF06L-1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 100 mOhm; 12A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Max. Drainstrom: 12A
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD12NF06L-1 RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 150+ 750+
Nettopreis (EUR) 0,4417 0,2669 0,1972 0,1875 0,1767
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75/150
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD12NF06L-1 Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 2400+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1767
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Max. Drainstrom: 12A
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole