STD12NF06L-1 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTD12NF06L-1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 100 mOhm; 12A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD12NF06L-1 RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 150+ 750+
Nettopreis (EUR) 0,4374 0,2643 0,1952 0,1857 0,1750
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Standard-Verpackung:
75/150
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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