STD12NF06L-1 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTD12NF06L-1
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Gehäuse: IPAK
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 100 mOhm; 12A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD12NF06L-1 Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
1730 stk.
Anzahl Stück 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2301
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Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD12NF06L-1 Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
707625 stk.
Anzahl Stück 900+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1369
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Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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