TSTD14NM50N

Symbol Micros: TSTD14NM50N

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Tranzystor N-MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 90W; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	320mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	90W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	320mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	90W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD