STD16NF06

Symbol Micros: TSTD16NF06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 70mOhm; 16A; 40W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD16NF06T4;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD16NF06T4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9067 0,5741 0,4534 0,4123 0,3941
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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