STD16NF06
Symbol Micros:
TSTD16NF06
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 70mOhm; 16A; 40W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD16NF06T4;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
Max. Drainstrom: | 16A |
Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD16NF06T4 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9351 | 0,5921 | 0,4675 | 0,4253 | 0,4065 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD16NF06T4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4065 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD16NF06T4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4065 |
Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
Max. Drainstrom: | 16A |
Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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