STD17NF03L

Symbol Micros: TSTD17NF03L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 16V; 60mOhm; 17A; 30W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD17NF03LT4;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Max. Drainstrom: 17A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD17NF03LT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4618 0,2566 0,2018 0,1903 0,1843
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Max. Drainstrom: 17A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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