STD1NK60T4 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTD1NK60t4
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-MOSFET 600V 1A 8.5mΩ 30W
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,5Ohm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD1NK60T4 Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
195000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1480
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD1NK60T4 Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
165000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1434
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD1NK60T4 Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
202500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1509
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 8,5Ohm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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