STD1NK60T4 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTD1NK60t4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 600V 1A 8.5mΩ 30W
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD1NK60T4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
70000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1964 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD1NK60T4
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
47500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1438 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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