STD20NF06T4

Name: TSTD20nf06 TSTD20nf06
Brand: ST
SKU: TSTD20nf06
Price: 0.4860 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTD20nf06

Gehäuse: DPAK

N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 40mOhm; 24A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; STD20NF06;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	24A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06T4 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt

Auf Lager:

70 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0212	0,6785	0,5611	0,5071	0,4860

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06T4 Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4860

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06T4 Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

2290 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4945

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF06T4 Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4860

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	24A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD