STD20NF06LT4
Symbol Micros:
TSTD20NF06L
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 60V; 18V; 50mOhm; 24A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
| Max. Drainstrom: | 24A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF06LT4 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8925 | 0,5658 | 0,4475 | 0,4072 | 0,3883 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF06LT4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
37500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4011 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF06LT4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
7500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4021 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF06LT4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
27500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4160 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
| Max. Drainstrom: | 24A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 18V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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