STD20NF20

Symbol Micros: TSTD20NF20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 125 mOhm; 18A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Max. Drainstrom: 18A
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF20 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,6968 1,3440 1,1444 1,0515 0,9981
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Standard-Verpackung:
10
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF20 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
102500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9981
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD20NF20 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
3330 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9981
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Max. Drainstrom: 18A
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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