STD20NF20
Symbol Micros:
TSTD20NF20
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 125 mOhm; 18A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 125mOhm |
| Max. Drainstrom: | 18A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF20 RoHS
Gehäuse: DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6871 | 1,3363 | 1,1378 | 1,0455 | 0,9924 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF20
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
100000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9924 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF20
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
45000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9924 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD20NF20
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
3330 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9924 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 125mOhm |
| Max. Drainstrom: | 18A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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