STD25NF10 DPAK
Symbol Micros:
TSTD25nf10
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 38mOhm; 25A; 100 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD25NF10T4;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 38mOhm |
| Max. Drainstrom: | 25A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 100W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD25NF10T4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
75000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3671 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD25NF10T4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
32500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2925 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD25NF10T4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3026 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 38mOhm |
| Max. Drainstrom: | 25A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 100W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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