STD25NF10 DPAK

Name: TSTD25nf10 TSTD25nf10
Brand: ST
SKU: TSTD25nf10
Price: 0.6453 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTD25nf10

Gehäuse: DPAK

N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 38mOhm; 25A; 100 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD25NF10T4;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	38mOhm
Max. Drainstrom:	25A
Maximaler Leistungsverlust:	100W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD25NF10T4 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt

Auf Lager:

190 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	40+	190+
Nettopreis (EUR)	1,2268	0,9361	0,7730	0,6855	0,6453

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD25NF10T4 Gehäuse: DPAK

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32500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6453

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD25NF10T4 Gehäuse: DPAK

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25000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6453

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD25NF10T4 Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

22500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6453

Widerstand im offenen Kanal:	38mOhm
Max. Drainstrom:	25A
Maximaler Leistungsverlust:	100W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD