STD28P3LLH6AG STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTD28P3LLH6AG
Gehäuse: DPAK
MOSFET P-CH 30V 12A 150°C
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 33W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 33W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 18V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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