STD2N62K3
Symbol Micros:
TSTD2N62K3
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 620V; 30V; 3,6 Ohm; 2,2A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 620V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD2N62K3 RoHS
Gehäuse: TO252t/r (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6283 | 0,3984 | 0,3142 | 0,2869 | 0,2732 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD2N62K3
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
1480 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2881 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 620V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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