STD2NK100Z
Symbol Micros:
TSTD2NK100Z
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 8,5 Ohm; 1,85A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1,85A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1,85A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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