STD30N10F7 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTD30N10F7
Gehäuse: DPAK-3
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 24mOhm |
| Max. Drainstrom: | 32A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | DPAK-3 |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 24mOhm |
| Max. Drainstrom: | 32A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | DPAK-3 |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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