STD30NF06LT4
Symbol Micros:
TSTD30nf06l
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 30mOhm; 35A; 70W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD30NF06L; STD30NF06LT4-VB; STD30NF06LT4; STD30NF06LT4;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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