STD35NF06LT4 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTD35nf06lt4

Gehäuse: DPAK

N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 20mOhm; 35A; 80W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	35A
Maximaler Leistungsverlust:	80W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	35A
Maximaler Leistungsverlust:	80W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD