STD35NF06LT4 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTD35nf06lt4
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 20mOhm; 35A; 80W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 80W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD35NF06LT4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
27500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4587 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD35NF06LT4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
15000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5228 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD35NF06LT4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
65000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5044 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 80W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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