STD35P6LLF6

Name: TSTD35p6llf6 TSTD35p6llf6
Brand: ST
SKU: TSTD35p6llf6
Price: 1.0096 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTD35p6llf6

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 36mOhm; 35A; 70W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	36mOhm
Max. Drainstrom:	35A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD35P6LLF6 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,6148	1,2311	1,0192	0,8945	0,8498

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD35P6LLF6 Gehäuse: TO252 (DPACK)

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7500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8498

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132500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8498

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD35P6LLF6 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8498

Widerstand im offenen Kanal:	36mOhm
Max. Drainstrom:	35A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD