STD35P6LLF6

Symbol Micros: TSTD35p6llf6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 36mOhm; 35A; 70W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD35P6LLF6 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1675 0,8910 0,7380 0,6466 0,6146
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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