STD3NK50Z-1

Symbol Micros: TSTD3NK50z-1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 3,3 Ohm; 2,3A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,3Ohm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK50Z-1 RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 3+ 15+ 75+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,4488 0,2641 0,2015 0,1814 0,1725
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 3,3Ohm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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