STD3NK80Z-1

Name: TSTD3NK80z1 TSTD3NK80z1
Brand: ST
SKU: TSTD3NK80z1
Price: 0.4614 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTD3NK80z1

Gehäuse: IPAK

N-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 4,5 Ohm; 2,5A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,5Ohm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	IPAK
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Msx. Drain-Gate Spannung:	800V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80Z-1 RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt

Auf Lager:

141 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	75+	300+
Nettopreis (EUR)	0,9698	0,6426	0,5296	0,4825	0,4614

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80Z-1 Gehäuse: IPAK

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23250 stk.

Anzahl Stück	1275+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4614

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80Z-1 Gehäuse: IPAK

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8850 stk.

Anzahl Stück	450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4614

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80Z-1 Gehäuse: IPAK

Externes Lager:

19905 stk.

Anzahl Stück	450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4614

Widerstand im offenen Kanal:	4,5Ohm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	IPAK
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Msx. Drain-Gate Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT