STD3NK80Z-1

Symbol Micros: TSTD3NK80z1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 4,5 Ohm; 2,5A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Max. Drainstrom: 2,5A
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80Z-1 RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt
Auf Lager:
141 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9613 0,6370 0,5250 0,4783 0,4573
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Max. Drainstrom: 2,5A
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole