STD3NK80Z-1

Symbol Micros: TSTD3NK80z1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
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N-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 4,5 Ohm; 2,5A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80Z-1 RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt
Auf Lager:
141 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9680 0,6414 0,5286 0,4816 0,4605
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Standard-Verpackung:
75
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80Z-1 Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
19905 stk.
Anzahl Stück 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4605
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Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80Z-1 Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
8850 stk.
Anzahl Stück 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4605
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Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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