STD3NK80ZT4

Symbol Micros: TSTD3NK80zt-4
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 4,5 Ohm; 2,5A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80ZT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0290 0,7536 0,6056 0,5191 0,4895
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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