STD3NK80ZT4

Name: TSTD3NK80zt-4 TSTD3NK80zt-4
Brand: ST
SKU: TSTD3NK80zt-4
Price: 0.7980 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTD3NK80zt-4

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 4,5 Ohm; 2,5A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,5Ohm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80ZT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,5159	1,1581	0,9580	0,8403	0,7980

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80ZT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

440000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7980

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80ZT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

40698 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7980

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK80ZT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

7500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7980

Widerstand im offenen Kanal:	4,5Ohm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD