STD46P4LLF6

Symbol Micros: TSTD46P4LLF6

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 20mOhm; 46A; 70W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	46A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	46A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD