STD4NK60ZT4 D-PAK

Name: TSTD4NK60zt4 TSTD4NK60zt4
Brand: ST
SKU: TSTD4NK60zt4
Price: 0.2989 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTD4NK60zt4

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD4NK60ZT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

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40 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6873	0,4355	0,3437	0,3131	0,2989

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD4NK60ZT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

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32500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2989

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37500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2989

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD4NK60ZT4 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

25000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2989

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD