STD4NK60ZT4 D-PAK

Symbol Micros: TSTD4NK60zt4
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD4NK60ZT4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
260 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,8052 0,5101 0,4026 0,3591 0,3500
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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