STD5N52K3
Symbol Micros:
TSTD5N52K3
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 525V; 30V; 1,5 Ohm; 4,4A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 525V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD5N52K3 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6699 | 0,4201 | 0,3501 | 0,3104 | 0,2918 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD5N52K3
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2918 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD5N52K3
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2918 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 525V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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