STD5N52K3

Symbol Micros: TSTD5N52K3
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Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 525V; 30V; 1,5 Ohm; 4,4A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 4,4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 525V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD5N52K3 Gehäuse: TO252 (DPAK)  
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Nettopreis (EUR) 0,2532
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40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 4,4A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 525V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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