STD5NK50Z
Symbol Micros:
TSTD5NK50Z
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-MOSFET 4.4A 500V 70W 1.5Ω STD5NK50ZT4
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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