STD5NM50AG
Symbol Micros:
TSTD5NM50AG
Gehäuse: DPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive T/R
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 100W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 100W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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