STD5NM50AG

Symbol Micros: TSTD5NM50AG
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD5NM50AG Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8548
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD5NM50AG Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
2985 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7655
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD5NM50AG Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
22500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7377
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD