STD60NF55L

Symbol Micros: TSTD60NF55L

Gehäuse: TO252 (DPAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 15V; 17mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD60NF55LT4;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	17mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Max. Drainstrom:	60A
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	17mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Max. Drainstrom:	60A
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	15V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD