STD6N60M2 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTD6N60m2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 1,2 Ohm; 4,5A; 60W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD6N60M2 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5392
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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