STD6N60M2 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTD6N60m2
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 1,2 Ohm; 4,5A; 60W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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