STD6N95K5 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTD6N95k5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 950V; 30V; 1,25 Ohm; 9A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Max. Drainstrom: 9A
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD6N95K5 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 3,0543 2,6273 2,3777 2,2540 2,1817
Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Max. Drainstrom: 9A
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD