STD8N80K5

Symbol Micros: TSTD8N80K5

Gehäuse: TO252 (DPAK)

N-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 950 mOhm; 6A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	950mOhm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Max. Gate-Source Spannung:	30V

Widerstand im offenen Kanal:	950mOhm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD