STD95N4F3  STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTD95N4F3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 5,8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD