STF10NM60N

Symbol Micros: TSTF10NM60n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 550 mOhm; 10A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF10NM60N RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
205 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,3520 0,9436 0,8004 0,7535 0,7112
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Standard-Verpackung:
50/300
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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