STF10NM60N

Symbol Micros: TSTF10NM60n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 550 mOhm; 10A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF10NM60N RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
195 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,3201 0,9213 0,7815 0,7357 0,6944
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Standard-Verpackung:
50/300
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STF10NM60N Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6944
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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